关于长江存储在技术研发方面投入的具体金额，并没有公开的准确报道。

不过，有资料显示，长江存储在成立初期的投入相当可观。例如，2016年12月底由其主导的国家存储器基地正式动土，预期分三个阶段建立三座3D NAND Flash厂房，首期投入超过240亿美元。

长江存储执行董事长高启全曾表示，未来十年长江存储将持续增加研发投入。该公司一直致力于闪存芯片技术的研发和创新，投入大量资源用于3D NAND闪存技术的研发，包括组建专业的研发团队、购买先进的设备和进行相关技术的研究等。

其研发成果也较为显著，如成功研发32层、64层、128层等3D NAND Flash芯片，并推出了拥有自主知识产权的Xtacking架构等。

半导体行业的技术研发需要高额的资金支持，以应对技术的快速变革和市场的激烈竞争。虽然具体投入金额难以确切得知，但从其取得的技术突破和产业影响力来看，长江存储在技术研发方面的投入是巨大且持续的。这样的投入有助于提升其技术实力和市场竞争力，推动中国存储芯片产业的发展。

另外，长江存储执行董事长高启全曾在2018年表示，未来十年长江存储将持续增加研发投入。