长江存储的发展规划和目标包括以下方面：

提升闪存芯片技术：不断研发更高层数的3D NAND闪存芯片，如从32层、64层到128层等，以提高芯片的存储密度、性能和竞争力。

提高产能：计划建设多个工厂，逐步提升产能。按照十四五规划，其2021年、2022年、2023年、2024年、2025年的产能将分别达到10万片/月、15万片/月、20万片/月、25万片/月、30万片/月。到2025年时达到满产，三大工厂满产后预计每年产值为1000亿人民币。

实现国产化替代：减少对国外存储芯片的依赖，满足国内市场对存储芯片的需求。预计到2023年实现满足中国50%的NAND需求。

进入全球闪存芯片市场：在全球闪存芯片市场占据重要地位，与国际大厂竞争。

完善产业链：与上下游企业合作，形成完整的集成电路产业生态，推动中国存储产业的发展。

具体的发展规划和目标可能会根据市场情况、技术进展等因素进行调整和优化。

长江存储成立于2016年7月，是一家集开发设计和生产制造于一体的3D NAND Flash闪存芯片厂商。公司在武汉、上海、北京等地设有研发中心，拥有众多资深研发工程师。同时，长江存储还可面向业界提供完整的存储器解决方案。其自主研发的Xtacking架构有助于提升NAND芯片的性能。

在国家政策支持和市场需求增长的背景下，长江存储致力于通过技术创新和产能提升，为中国存储芯片产业的发展做出贡献。然而，其发展也面临着诸多挑战，如激烈的市场竞争、技术差距以及国际形势变化等。要实现这些目标，需要持续投入研发、提高生产良率、提升市场份额，并不断适应行业的变化和发展。