Nexperia的基础半导体器件产品系列最近得到了进一步的丰富。其最新宣布的第二代650 V功率GaN FET器件系列已经开始批量供货，这标志着该公司在功率半导体领域的又一重要突破。

与之前的技术和竞争对手的器件相比，Nexperia的这款新型功率GaN FET具有显著的性能优势。其RDS(on)性能低至35mΩ（典型值），这一特性使得它非常适用于2 kW至10 kW的单相AC/DC和DC/DC工业开关模式电源（SMPS）。特别是对于那些需要满足80 PLUS®钛金级效率认证的服务器电源和高效率要求的电信电源，这款器件提供了理想的解决方案。此外，该器件也非常适合相同功率范围内的太阳能逆变器和伺服驱动器。

值得一提的是，全新650V H2功率GaN FET采用了TO-247封装。这种封装方式使得在给定RDS(on)值下，芯片尺寸能够缩小36%，从而具有更好的稳定性和效率。此外，其级联配置无需复杂的驱动电路，这无疑将大大加快产品的上市速度。在硬开关和软开关电路中，这款器件都展现出了出色的性能，为设计人员提供了极大的灵活性。

对于80 PLUS®钛金级效率认证，Nexperia GaN战略市场总监Dilder Chowdhury表示：“钛金级是80 PLUS®规格中最严苛的，满载条件下要求达到>91%的效率（半载条件下>96%）。” 对于高功率应用，如2 kW及更高功率的服务器电源，使用传统的硅器件来实现这种性能水平，电路设计会相当复杂且具有挑战性。然而，Nexperia新的功率GaN FET则非常适合简洁的无桥图腾柱PFC电路，不仅减少了所需器件的数量，还有助于减小系统尺寸和降低成本。

总的来说，Nexperia第二代650 V功率GaN FET器件系列的推出，无疑将进一步巩固其在全球半导体市场的领先地位，并为广大客户提供更高效、更可靠、更经济的解决方案。随着技术的不断进步和市场的不断拓展，相信Nexperia将会继续推出更多创新产品，满足客户的多样化需求。