2014年：长江存储3D NAND闪存项目正式启动。

2015年6月：9层3D NAND闪存测试芯片通过电气性能验证。

2016年7月：长江存储正式成立，第一代3D NAND闪存测试芯片设计完成，一期工程动工。

2017年：第一代3D NAND闪存设计完成并实现首次流片，一期工厂实现提前封顶。

2018年8月7日：在美国加州圣克拉拉召开的闪存峰会上，长江存储发布了Xtacking技术，并获得Best of Show奖项。第一代3D NAND闪存实现量产。

2019年：第二代3D NAND闪存实现量产，第三代TLC 3D NAND设计完成，并实现首次流片。

2020年：第三代QLC 3D NAND研发成功，长江存储致钛SSD上市，eMMC/UFS嵌入式存储通过客户验证。

2021年：第三代TLC/QLC NAND量产，长江存储一期工厂实现满产。

长江存储的发展标志着中国在全球半导体存储领域的重要进步。公司专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业，同时也提供完整的存储器解决方案