图1.29为受光照后其电阻大幅度减小的CdS(硫化镉)元件,图1.30为
这些元器件均利用了CdS和热敏电阻受光或热能作用后半导体内的载
构成晶体的电子其作用各有不同,如图1.32所示。
如前所述,半导体是只要加入少量的杂质就会对其性质产生重大影响
本征半导体中存在着相同数量的自由电子与空穴,当外加光、热、电场
图1.29为受光照后其电阻大幅度减小的CdS(硫化镉)元件,图1.30为
这些元器件均利用了CdS和热敏电阻受光或热能作用后半导体内的载
构成晶体的电子其作用各有不同,如图1.32所示。
如前所述,半导体是只要加入少量的杂质就会对其性质产生重大影响
本征半导体中存在着相同数量的自由电子与空穴,当外加光、热、电场