PANJIT 推出新款 P 沟道和 N 沟道 MOSFET，旨在提升汽车电子系统的性能。P 沟道 MOSFET 通过了 AEC-Q101 认证，结温高达 175°C，为追求可靠性和简化电路的设计工程师提供了最佳选择。这些 MOSFET 最大限度地降低了 RDS(ON)，并提高了雪崩坚固性，采用DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、TO-252AA、TO-263 和 TO-263-7L封装。

PANJIT 的 N 沟道功率 MOSFET 采用先进的沟槽技术，具有出色的性能系数 (FOM)、更低的 RDS(ON) 和电容。这些 MOSFET 采用DFN3333-8L、DFN5060B-8L、DFN5060-8L、TO-252AA封装，有助于实现高效可靠的 PCB 设计。

通过将创新与可靠性相结合，PANJIT 的低压 MOSFET 简化了电源设计电路，满足了汽车设计工程师不断变化的需求。这些元件证明了 PANJIT 致力于打造汽车电子产品的未来，为高性能汽车应用提供最佳解决方案。