Nexperia发布新型P沟道MOSFET，革新汽车和工业应用

Nexperia，全球领先的半导体解决方案供应商，近日宣布推出采用高鲁棒性、高空间利用率LFPAK56 (Power-SO8)封装的P沟道MOSFET系列产品，这一创新产品为汽车和工业应用提供了更优质的选择。

新系列产品符合AEC-Q101标准，适用于各种严苛的汽车环境。与传统的DPAK MOSFET相比，新器件在保持高性能的同时，封装占位面积减少了50%以上，极大地优化了空间利用率。该系列产品的工作电压范围覆盖30 V至60 V，且导通电阻RDS(on)可低至10 mΩ (30 V)，展现了出色的电气性能。

值得一提的是，LFPAK封装技术采用了铜夹片结构，这一结构由Nexperia率先应用，并在近20年的汽车等要求严格的应用领域中得到验证。其可靠性远超AEC标准的要求，甚至在关键可靠性测试指标上表现出两倍的优势。此外，该封装结构还显著提高了板级可靠性，为产品的高性能运行提供了坚实的基础。

在此之前，LFPAK封装主要应用于N沟道器件。然而，随着工业应用的需求日益增长，Nexperia决定扩展LFPAK56产品系列，将P沟道器件也纳入其中。这一决策不仅丰富了LFPAK的应用领域，也为P沟道MOSFET提供了更加稳定、高效的封装解决方案。

Nexperia产品经理Malte Struck表示：“新款P沟道MOSFET系列产品的推出，是我们对极性反接保护应用的重要贡献。它们不仅可以作为高边开关，用于汽车座椅调节、天窗和车窗控制等应用，还适用于5G基站等工业场景。我们相信，这一系列产品将以其卓越的性能和可靠性，为汽车和工业应用带来革命性的变革。”

此次新产品的发布，再次彰显了Nexperia在半导体领域的创新能力和技术实力。未来，随着技术的不断进步和应用领域的不断拓宽，Nexperia将继续为全球客户提供更加优质、高效的半导体解决方案。