Nexperia，作为一家基础半导体器件领域的高产能生产专家，近日宣布推出首批支持低电压（100/150 V）和高电压（650 V）应用的E-mode（增强型）功率GaN FET。这一新系列产品的推出，不仅扩充了Nexperia丰富的产品组合，同时也为设计人员提供了更多的选择，以满足不同应用场景的需求。

具体来说，Nexperia在其级联型氮化镓产品系列上增加了七款新型E-mode器件。这些器件包括五款额定电压为650 V的E-mode GaN FET，其RDS(on)值介于80 mΩ至190 mΩ之间，提供DFN 5x6 mm和DFN 8x8 mm两种封装。这些高电压、低功率的器件适用于数据通讯/电信、消费类充电、太阳能和工业应用，能有效提高电源转换效率，并在高精度无刷直流电机和紧凑型服务器设计中实现更高扭矩和更大功率。

同时，Nexperia还提供采用WLCSP8封装的100 V (3.2 mΩ) GaN FET和采用FCLGA封装的150 V (7 mΩ) GaN FET。这些低电压、高功率的器件适用于各种应用，如数据中心的高效DC-DC转换器、快速充电设备、小尺寸LiDAR收发器、低噪声D类音频放大器以及功率密度更高的消费类设备。

GaN FET作为一种宽禁带半导体材料，相比硅基能承受更高的工作电压，实现更高的功率密度。因此，在许多功率转换应用中，GaN FET凭借紧凑型解决方案尺寸能实现更高的功率效率，从而显著降低物料(BOM)成本。Nexperia的E-mode GaN FET具有出色的开关性能，这得益于极低的Qg和QOSS值，以及有助于实现更高功率效率设计的低RDS(on)。

这一系列产品组合不仅包括支持高电压、高功率应用的级联器件，还包括支持高电压、低功率应用的650 V E-mode器件和支持低电压、高功率应用的100/150 V E-mode器件。这种丰富的产品线使得Nexperia能够满足不同领域和场景的需求，进一步巩固其在基础半导体器件领域的领先地位。

此外，值得一提的是，Nexperia的E-mode GaN FET采用8英寸晶圆生产线制造以提高产能，并且符合工业级的JEDEC标准。这显示了Nexperia在坚守承诺，促进优质硅器件和宽禁带技术发展的决心。

总的来说，Nexperia推出的这批新型E-mode GaN FET不仅扩充了其产品线，还提高了其市场竞争力。未来，随着功率电子市场的不断发展，我们有理由相信，Nexperia将继续推出更多创新产品，为设计人员提供更多优质的选择。